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球形粉体传统物理法制备技术及特点
球形粉体传统物理法制备技术主要包括机械整形法、喷雾干燥法等。1、机械整形法机械整形法主要是通过机械作用产生的碰撞、摩擦和剪切等一系列作用力对颗粒进行塑性变形以及颗粒吸附，持续加工后，颗粒变得更加密实，颗粒上尖锐的棱角在冲击力的作用下受到不断研磨逐渐变得光滑圆整。机械整形法通过高速冲击式磨机、介质搅拌磨等粉碎设备制备相应的微细粉体材料，再结合干法和湿法研磨，制备出粒度较细、粒度分布较窄、具有一定球化率的粉体材料。机械整形法在天然石墨、人造石墨和水泥颗粒等球化整形处理领域应用较为广泛，也适合脆性金属或合金粉体的破碎制粉。
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高纯超细氧化铝粉体制备技术及高端应用领域
高纯超细氧化铝粉体一般指代纯度在4N（99.99%）及以上、颗粒直径（D50）≤1.0µm的氧化铝粉体。氧化铝粉体超细微化后，其表面电子结构和晶体结构都发生了变化，产生了宏观物体所不具有的表面效应、小尺寸效应、量子效应和宏观量子隧道效应、集成电路芯片、航空光源器件等方面得到了广泛的应用。大规模工业生产的高纯超细氧化铝粉体多出自美、日、欧等国大型国际企业。目前，日本已形成以住友化学工业公司、昭和电工公司、昭和轻金属、新日本化学工业、日本轻金属公司、日立化学、大明化学等为核心的高端氧化铝粉体生产企业和以三菱、索尼、松下等为核心的下游应用企业。
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粉体的流动性如何影响压缩性？
粉体的流动性与其压缩性之间存在密切的相互作用，这种关系主要通过颗粒间的相互作用力、堆积结构和变形机制体现。以下是流动性影响压缩性的关键机制及影响因素的分析：
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纳米陶瓷粉体的分散方法有哪些
纳米陶瓷具有优良性能的前提是纳米颗粒堆积均匀，烧结收缩一致，晶粒均匀长大，但是由于纳米粉体颗粒细小、颗粒间存在着较强的结合力，如静电力、范德华力、毛细管力、机械咬合力等，使纳米粉体存在团聚度高、流动性差等特点，严重影响了粉体的成型性能，进而导致陶瓷材料的性能下降。因此，纳米陶瓷粉体的分散研究就变得尤为重要。
多种陶瓷粉体大赏！你都知道哪些？
先进陶瓷具有优异的力学、声、光、热、电、生物等特性，在航空航天、电子信息、生物医药、高端装备制造等高端科技领域随处可见。其种类繁多，不同成分的陶瓷各具特色，例如氧化铝陶瓷的抗氧化性、氮化硅陶瓷的高强度及耐电腐蚀性、氧化锆陶瓷的高韧性及生物相容性等等。
高纯氧化铝透明陶瓷材料不仅具有良好的透光性，而且其力学、光学、热学、电学性能都优于不透明陶瓷；氧化铝陶瓷基片是当代电子信息产业中应用最广的基板材料，是集成电路芯片的基础材料。除了陶瓷基板，高纯氧化铝的高端应用还有半导体设备用精密部件，此类陶瓷相较于一般的精细陶瓷而言性能方面要求更为严苛。
高纯氧化铝作为抛光液的磨料部分，其性能便尤为重要，尤其随着碳化硅半导体产业的兴起，高纯超细氧化铝在半导体抛光中的应用显得更为重要。
勃姆石含有一个结晶水，化学式为γ-Al2O3·H2O或者γ-AlOOH，属于氧化铝水合物的一种。
较高的比表面积、大孔隙率以及相变后可以保持原来形貌等特点使其成为制造快速、高效、可重复使用吸附剂的重要原料；显著的生物相容性让它在骨科、牙科和生物医学上大放异彩；特有的阻燃性、良好的填充性以及耐漏电性能让其在高性能和超薄的覆铜板中得到广泛应用；稳定的斜方结构以及表面的高密度羟基，使其表面可以被各种官能团改性，成为生产昂贵的负载催化剂和试剂的原料。
基于现阶段电子芯片的综合性能越来越高、整体尺寸越来越小的发展情况，电子芯片工作过程中所呈现出的热流密度同样大幅提升。因此，选用合适的封装材料与工艺、提高器件散热能力就成为发展功率器件的技术瓶颈。陶瓷材料本身具有热导率高、耐热性好、高绝缘、高强度、与芯片材料热匹配等性能，非常适合作为功率器件封装基板。
图片来源：福建臻璟
其中，氮化铝是导热性能最为优良的陶瓷材料，其理论热导率可达320W/（m·K），其商用产品热导率一般为180W/（m·K）~260W/（m·K），使其能够用于高功率、高引线和大尺寸芯片封装基板材料。除高导热外，其优良特性还包括：
（1）热膨胀系数(4.3×10-6/℃)与半导体硅材料((3.5~4.0)×10-6/℃)匹配；
（2）机械性能好，高于BeO陶瓷，接近氧化铝；
（3）电性能优良，具有极高的绝缘电阻和低的介质损耗；
（4）可以进行多层布线，实现封装的高密度和小型化；
（5）无毒，有利于环保。
图片来源：青岛瓷兴
氮化硅目前主要用作陶瓷材料，氮化硅陶瓷是工业技术特别是尖端技术中不可缺少的关键材料。例如：
其中，轴承球是应用最为广泛的氮化硅陶瓷制品，其年产量占全球高性能氮化硅制品的十分之三。氮化硅陶瓷轴承球与钢质球相比具有突出的优点：密度低、耐高温、自润滑、耐腐蚀、疲劳寿命破坏方式与钢质球相同。因此，氮化硅陶瓷轴承球可广泛应用于机床精密轴承、汽车轴承、风力发电机绝缘轴承、石油化工耐腐蚀和耐高温轴承等领域。
在众多导热粉体材料中，综合性能、技术成熟度、生产成本等，球形氧化铝凭借较高的导热性能、高填充系数、较好的流动性、成熟的工艺、丰富的规格以及相对合理的价格，成为导热粉体行业中高端导热领域最主流的导热粉体类别。
此外，球形的粉体因具有规则的形貌、更大的堆积密度、好的流动性等性质，可大大提高产品的性能。因而，除了在导热领域以外，球形Al2O3粉体在陶瓷、催化剂载体等多个领域被广泛的应用与研究。
钛酸钡（BaTiO3）是一种ABO3型钙钛矿结构，自从20世纪上半叶，钛酸钡陶瓷的优异介电性能被发现，便被用来做电容器的介质材料，它是目前使用最普遍的电子陶瓷粉体之一，还是制造电子元件的母体材料，因此被人们称作“电子陶瓷工业的支柱”。
纳米复合氧化锆是一类加入稳定剂后在室温条件下仍能保持四方相或者立方相的氧化锆，稳定剂主要为稀土氧化物(Y2O3、CeO2等）及碱土金属氧化物（CaO、MgO等）。
图片来源：东方锆业
随着科学技术的发展和进步，各种能满足特殊使用条件和使用功能的仪器、设备层出不穷，对材料及部件功能的要求也越来越高，世界市场对兼具高韧性、耐高温、耐磨损、耐腐蚀和特殊光学性能的纳米复合氧化锆材料及其制件的需求增长迅猛。氧化钇稳定氧化锆是应用最广、最具代表性的纳米复合氧化锆，其具有较高的氧离子导电特性、良好的机械性能，耐氧化及耐腐蚀性能、高热膨胀系数、低热导率及良好的抗氧化性和稳定性等优点，被广泛应用于结构材料和功能材料，如氧传感器、氧气泵、高温固体燃料电池、铁电陶瓷及航空发动机涂层等。
碳化硅材料主要可分为陶瓷和单晶两类。作为陶瓷材料，其在一般的应用领域对纯度要求并不是很严格，但在一些特殊环境下，如光刻机等半导体设备中作为精密部件时需对其纯度进行严格控制，以免影响硅片的纯净度。
然而，SiC的本身特性决定了其单晶生长难度较大。这主要是由于在常压下没有化学计量比为Si：C=1：1的液相存在，并不能采用目前半导体工业主流所采用的生长工艺较成熟的生长法——直拉法、降坩埚法等方法进行生长。为了克服这一难题，科学家们经过不懈努力提出了各种方法以获得高结晶质量、大尺寸、廉价的SiC晶体。目前比较主流的方法有物理气相传输法（PVT法）、液相法以及高温气相化学沉积法等。
声 明：文章内容来源于粉体匠人。
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